晶振作為芯片的“心臟”，在振蕩電路中起到不可替代的作用。那么晶振的基本參數(shù)包括哪些呢？晶振廠商應達利帶您一起看看。

一、晶振可以分為無源晶振和有源晶振，首先是無源晶振（晶體諧振器）的參數(shù)：

需求方提出的基本參數(shù)要求：

標稱頻率：Frequency

負載電容：CL

等效阻抗：Rr (ohms)

頻率溫度特性：TC (Relative to 25℃)

其它要求：工作溫度范圍、C0、C1等

需要由供方控制的參數(shù)：

頻率精度：FL or FR（ppm）

等效電阻：Rr (ohms)

靜態(tài)電容：C0 (pF)

動態(tài)電容：C1 (fF)

等效電感：L (mH)

品質因數(shù)：Q(k)

牽引能力：TS (ppm /pF)

驅動功率依賴性：DLD

頻率溫度特性：TC (Relative to to 25℃)

那么如何對晶振的參數(shù)進行測量呢？通常可用阻抗計測量，或者網(wǎng)絡分析儀測量：

阻抗計測量：

將諧振器作為振蕩器的一部分，利用比較替代的方法進行測量。

測量標準：主動法IEC-302。測量精度：±5ppm。

典型設備： S&A 100HF

網(wǎng)絡分析儀測量：

將諧振器使用Π電阻網(wǎng)絡匹配接入網(wǎng)絡分析儀，通過頻率相位、幅值分析測量。

測量標準：被動法IEC600444。測量精度：±2ppm。

典型設備：S&A 250B ; KH1240

二、有源晶振（晶體振蕩器）的參數(shù)：

常溫頻率偏差(Frequency Tolerance)

晶體振蕩器（基準條件下）輸出頻率與標準頻率的偏差。如+/-25PPM…

頻率溫度偏差(Frequency Stability)

晶體振蕩器在工作溫度內(nèi)頻率的變化。如+25PPM、+/-30PPM..

頻率總偏差(Overall Stability)

在規(guī)定的工作條件范圍內(nèi)允許的頻率偏差。頻率總偏差包括頻率偏差，頻率溫度偏差，電壓頻率變化，負載變化，老化等。

頻率穩(wěn)定度要求±20ppm或以上的應用，晶體振蕩器；

頻率穩(wěn)定度要求±0.5至±10ppm的應用，TCXO；

頻率穩(wěn)定度要求±1ppm或以下的應用，OCXO。

電源和負載

晶體振蕩器的頻率受電源電壓變動，和負載變動的影響。

額定的電壓有：3.3V+/-10%或 5V+/-10%， 1.8V+/-5%，2.8V+/5%等，CMOS輸出額定的負載為15pF.

輸出波形

晶體振蕩器有CMOS、TTL、PECL、LVPECL、 LVDS、HCSL

測量儀器包含頻率計，示波器等。